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半導體清洗技術
晶體硅太陽能電池的制造工藝
LED芯片的制造工藝流程簡介
LED外延片簡介
傳統的濕法清洗
LED外延片介紹及辨別質量方法
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About SPMC
 
硅密(常州)電子設備有限公司(SPMC)是設立在常州電子產業園的美商獨資企業,成立于2004年,專業提供半導體濕法方面的解決方案。擁有豐富的行業經驗,提供半導體、太陽能、LED濕法設備的設計、制造、維護和技術支持服務。
 
 
硅密(常州)電子設備有限公司
常州新北區電子產業園新科路21號
 
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周一~周五8:30-17:30

電話:(0519) 85486173
傳真:(0519) 85486203

晶體硅太陽能電池的制造工藝流程


晶體硅太陽能電池的制造工藝流程說明如下:

(1) 切片:采用多線切割,將硅棒切割成正方形的硅片。

(2) 清洗:用常規的硅片清洗方法清洗,然后用酸(或堿)溶液將硅片表面切割損傷層除去30-50um。

(3) 制備絨面:用堿溶液對硅片進行各向異性腐蝕在硅片表面制備絨面。

(4) 磷擴散:采用涂布源(或液態源,或固態氮化磷片狀源)進行擴散,制成PN+結,結深一般為0.3-0.5um。

(5) 周邊刻蝕:擴散時在硅片周邊表面形成的擴散層,會使電池上下電極短路,用掩蔽濕法腐蝕或等離子干法腐蝕去除周邊擴散層。

(6) 去除背面PN+結。常用濕法腐蝕或磨片法除去背面PN+結。

(7) 制作上下電極:用真空蒸鍍、化學鍍鎳或鋁漿印刷燒結等工藝。先制作下電極,然后制作上電極。鋁漿印刷是大量采用的工藝方法。

(8) 制作減反射膜:為了減少入反射損失,要在硅片表面上覆蓋一層減反射膜。制作減反射膜的材料有MgF2 ,SiO2 ,Al2O3 ,SiO ,Si3N4 ,TiO2 ,Ta2O5等。工藝方法可用真空鍍膜法、離子鍍膜法,濺射法、印刷法、PECVD法或噴涂法等。

(9) 燒結:將電池芯片燒結于鎳或銅的底板上。

(10)測試分檔:按規定參數規范,測試分類。

由此可見,太陽能電池芯片的制造采用的工藝方法與半導體器件基本相同,生產的工藝設備也基本相同,但工藝加工精度遠低于集成電路芯片的制造要求,這為太陽能電池的規模生產提供了有利條件。

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